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IPB083N10N3 G /MOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB083N10N3 G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:7.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:55 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:45 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:42 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:31 ns

典型接通延迟时间:18 ns

零件号别名:IPB083N10N3GATMA1 IPB83N1N3GXT SP000458812

单位重量:2 g

供应商IPB083N10N3 G
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深圳市威雅利发展有限公司IPB083N10N3 G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB083N10N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司IPB083N10N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPB083N10N3 G航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
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深圳市河锋鑫科技有限公司IPB083N10N3 G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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